STGB3NC120HDT4

在追求更高能效与可靠性的工业电源和电机驱动设计中，您是否还在为功率器件的选择而权衡？当1200V的电压等级、14A的持续电流能力与出色的开关性能成为硬性指标时，答案或许就藏在STGB3NC120HDT4这颗明星器件之中。它不仅仅是一个参数表，更是意法半导体PowerMESH技术为您的下一个项目注入的强劲动力与信心保障。

想象一下，在变频空调的压缩机驱动板、工业伺服驱动器或是高功率UPS的逆变模块中，一颗功率器件需要承受严苛的电气应力和热环境。STGB3NC120HDT4正是为此而生。其1200V的高击穿电压为380VAC三相系统提供了充裕的安全裕量，而仅2.8V的低饱和压降（Vce(on)）则直接转化为更低的导通损耗，意味着更少的发热和更高的整体效率。无论是应对电机启动时的瞬间大电流（脉冲电流能力达20A），还是在高达150°C的结温下稳定工作，它都能游刃有余，确保系统在极端工况下的坚如磐石。

选择它，就是选择了一种经过市场验证的卓越平衡。其优化的开关特性236J的开启能量与290J的关断能量，配合快速的开关时间，显著降低了开关损耗，让您的系统在更高频率下运行成为可能，从而可以缩小磁性元件的体积，降低整体成本。表面贴装的DPak封装不仅节省了宝贵的PCB空间，其强大的散热片设计更能将75W的功耗高效导出，简化您的热管理设计。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，我们的ST授权代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全方位服务。让STGB3NC120HDT4成为您提升产品竞争力、赢得市场先机的秘密武器，开启高效、可靠的能量转换新篇章。

• 型号:STGB3NC120HDT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 1200V 14A TO-263
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:14 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，3A
• 功率 - 最大值:75 W
• 开关能量:236J（导通），290J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:24 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/118ns
• 测试条件:800V，3A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):51 ns
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• STGB3NC120HDT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。