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STGB7NB60HDT4

  • 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT,封装:D2PAK
  • 技术参数:IGBT 600V 14A 80W D2PAK
  • (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

STGB7NB60HDT4参数详情:

在追求更高能效与更紧凑设计的电力电子领域,工程师们是否常常面临这样的挑战:如何在有限的PCB空间内,实现稳定可靠的高功率开关控制?现在,答案变得前所未有的清晰。让我们向您介绍一款在众多应用中久经考验的功率开关解决方案STGB7NB60HDT4。这款来自ST意法半导体的IGBT,集600V耐压、14A持续电流与高达56A的脉冲电流能力于一身,其2.8V的低饱和压降特性,意味着更低的导通损耗,直接为您转化为更高的系统效率和更少的热量困扰。

想象一下,在您熟悉的电机驱动、UPS不间断电源或工业变频器项目中,STGB7NB60HDT4能够轻松胜任。它采用先进的PowerMESH技术,不仅确保了出色的开关性能(开关能量低至85J),其快速的开关速度(开启延迟仅15ns)更能让您的系统响应更为敏捷。无论是应对电机的频繁启停,还是保证电源在瞬间负载变化下的稳定输出,它都能提供坚实可靠的保障。其表面贴装的DPak封装,在提供强大散热能力(最大功耗80W)的同时,也为您的自动化生产与空间优化带来了极大便利。

选择STGB7NB60HDT4,就是选择了一份经过市场验证的成熟与稳定。虽然其已进入停产状态,但在许多仍在量产的经典设计中,它依然是无可替代的关键元件,确保了产品长期供应的延续性和一致性。对于寻求可靠库存或进行特定产品维护升级的您而言,通过值得信赖的ST代理渠道,依然可以获取到这款性能卓越的器件。它将帮助您降低设计风险,缩短开发周期,让您能够更专注于系统层面的创新与优化,最终打造出在能效、可靠性和成本方面都具有强大竞争力的终端产品。

  • 型号:STGB7NB60HDT4
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:D2PAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT 600V 14A 80W D2PAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):14 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.8V @ 15V,7A
  • 功率 - 最大值:80 W
  • 开关能量:85J(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:42 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:15ns/75ns
  • 测试条件:480V,7A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):100 ns
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:D2PAK
  • STGB7NB60HDT4的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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