STGB7NC60HDT4

想象一下，您的下一个电源或电机驱动设计，能否在保持紧凑尺寸的同时，承载更高的功率密度？这正是STGB7NC60HDT4为您带来的核心价值。作为意法半导体PowerMESH家族的一员，这颗600V、25A的IGBT芯片，不仅仅是参数的堆砌，更是高效能与可靠性的完美融合。它专为应对严苛的工业环境而生，其高达80W的功率处理能力和150°C的最大结温，意味着您的设备可以在更宽广的温度范围内稳定运行，无惧挑战。

无论是工业变频器、不间断电源（UPS）、电焊机，还是各类电机驱动和开关电源，STGB7NC60HDT4都能成为您系统的“强力心脏”。其2.5V的低饱和压降（Vce(on)）和优化的开关特性（开关能量低至95J/115J），直接转化为更低的导通损耗和开关损耗。这意味着您的终端产品不仅能效更高、发热更少，还能在长期运行中为您和您的客户节省可观的能源成本。选择它，就是为您的产品注入了持久耐用的基因。

为什么众多工程师在关键项目中信赖这款芯片？答案在于其背后强大的技术支撑与便捷的供应链。其D2PAK（TO-263）表面贴装封装，兼顾了出色的散热性能与自动化生产的便利性，让您的PCB布局更灵活，生产流程更高效。更重要的是，当您通过正规的ST授权代理渠道获取STGB7NC60HDT4时，您获得的不仅是原装正品的质量保证，还有完整的技术文档、可靠的交期和专业的本地支持。这为您规避了供应链风险，加速了产品上市进程。在追求性能极限与商业成功的道路上，让这颗经过市场验证的芯片，成为您最值得信赖的伙伴。

• 型号:STGB7NC60HDT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 600V 25A 80W D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:25 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A
• 功率 - 最大值:80 W
• 开关能量:95J（导通），115J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:35 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:18.5ns/72ns
• 测试条件:390V，7A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):37 ns
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
• STGB7NC60HDT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。