STGB7NC60HT4

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源转换系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够将600V高压、25A电流稳定掌控于方寸之间，同时将导通压降低至仅2.5V的功率器件，将如何彻底改变您的产品性能格局。这正是STGB7NC60HT4所带来的震撼价值。它并非普通的IGBT，而是源自ST意法半导体备受赞誉的PowerMESH技术平台，专为应对严苛的高频开关应用而精心打造。其卓越的电气特性，意味着更低的导通损耗和开关损耗，直接转化为系统整体效率的显著提升和温升的有效控制，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。

这颗芯片的能量，在诸多领域都能大放异彩。无论是工业电机驱动中要求精准调速与高可靠性的变频器，还是UPS不间断电源和太阳能逆变器中关乎能源转换效率的核心功率模块，甚至是高功率开关电源和电焊机等对动态响应与鲁棒性有极高要求的设备，STGB7NC60HT4都能游刃有余。其高达150°C的结温工作能力和DPAK（TO-263）表面贴装封装，不仅确保了在恶劣环境下的稳定运行，也为您的PCB布局提供了更大的灵活性和散热优势，助力实现更轻薄、更强大的终端产品设计。

选择STGB7NC60HT4，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能记录，使其成为许多经典和特定应用方案的优选。对于仍在沿用或维护相关设计的工程师而言，通过可靠的ST授权代理渠道获取原装正品，是保障项目持续性与产品可靠性的关键。它集高效能、高鲁棒性与易于使用的封装于一体，让您能够以更少的器件压力，应对更多的功率挑战。当您需要一颗能够扛起中高功率重任、同时兼顾效率与成本的开关器件时，STGB7NC60HT4所代表的经典PowerMESH解决方案，依然是您值得信赖的伙伴。

• 型号:STGB7NC60HT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 600V 25A 80W D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:25 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A
• 功率 - 最大值:80 W
• 开关能量:-
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:35 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:18.5ns/72ns
• 测试条件:390V，7A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):37 ns
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
• STGB7NC60HT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。