STGD10NC60KDT4

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源转换系统是否还在为功率器件的性能与体积而妥协？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体PowerMESH系列中的明星产品STGD10NC60KDT4，这颗集高效、可靠与紧凑于一身的IGBT，将彻底改变您对功率密度的认知。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力的强大引擎。

想象一下，在您的变频家电、工业电机驱动或UPS不间断电源系统中，一颗芯片需要同时承担高电压、大电流的切换任务，同时还要将损耗和发热控制在最低水平。STGD10NC60KDT4正是为此而生。其600V的击穿电压和20A的持续电流能力，为系统提供了坚固的安全边际。更令人振奋的是，它拥有极低的饱和压降（Vce(on)仅2.5V@5A）和快速的开关特性（开关能量总和仅140J），这意味着在每一次开关动作中，电能都能更高效地传递，而更少地转化为无谓的热量。这不仅提升了整体效率，更直接降低了散热设计的难度与成本，让您的设备运行更凉爽、更安静、寿命更长。

从智能空调的压缩机驱动到伺服控制器的核心功率模块，再到紧凑型太阳能逆变器，STGD10NC60KDT4都能完美融入。其DPAK表面贴装封装，专为自动化生产和高密度PCB布局优化，极大地节省了宝贵的电路板空间，让您的设计可以更加纤薄精巧。选择它，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺。我们作为值得信赖的ST一级代理，不仅能确保您获得稳定可靠的正品货源和具有竞争力的价格，更能提供专业的技术支持与选型指导。当您需要一颗能在-55°C至150°C的严苛环境下稳定工作，并能以卓越的能效表现驱动未来的功率芯片时，STGD10NC60KDT4无疑是您最明智、最值得信赖的选择。立即采用，开启您产品能效飞跃的新篇章。

• 型号:STGD10NC60KDT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 600V 20A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A
• 功率 - 最大值:62 W
• 开关能量:55J（导通），85J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:19 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns
• 测试条件:390V，5A，10欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):22 ns
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• STGD10NC60KDT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。