STGD10NC60ST4

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源转换系统是否还在为功率器件的损耗与发热问题而妥协？现在，答案来了。我们隆重向您推荐意法半导体PowerMESH家族的明星产品STGD10NC60ST4。这颗600V/18A的IGBT，以其卓越的性能和极高的可靠性，正成为工程师们在设计高效、紧凑型功率解决方案时的首选。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力、实现性能飞跃的关键引擎。

想象一下，在您的变频家电、工业电机驱动或UPS不间断电源中，需要一颗能够在高压下稳定工作、开关迅速且损耗极低的功率开关。STGD10NC60ST4正是为此而生。它采用先进的表面贴装DPAK封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更优化了散热路径，让您的设计在保持小巧体积的同时，也能从容应对高达60W的功率处理需求。其1.65V的低饱和压降和优化的开关特性（开启延迟仅19ns），意味着更低的导通损耗和开关损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的温升，让您的设备运行更冷静、更持久。

为什么众多领先的电源和驱动设计都信赖这颗芯片？因为它将性能与易用性做到了完美的平衡。高达600V的击穿电压和18A的连续电流能力，为您的系统提供了充足的安全裕量。其标准输入类型和18nC的低栅极电荷，让驱动电路的设计变得异常简单，无需复杂的驱动芯片即可轻松驾驭。无论是面对频繁启停的电机控制，还是要求严苛的开关电源拓扑，它都能以稳定的表现，确保系统长期可靠运行。选择STGD10NC60ST4，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。如需获取官方正品与专业的技术支持，我们推荐您通过授权的ST代理进行采购，确保产品源头与品质无忧。

• 型号:STGD10NC60ST4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 600V 18A 60W DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:18 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，5A
• 功率 - 最大值:60 W
• 开关能量:60J（导通），340J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:18 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns
• 测试条件:390V，5A，10欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• STGD10NC60ST4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。