STGP10M65DF2

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源转换系统是否还在为功率器件的损耗和散热问题而妥协？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体的新一代功率解决方案STGP10M65DF2，这颗集高性能与高可靠性于一身的650V IGBT，将彻底改变您对中功率应用的想象。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、赢得市场的关键引擎。

想象一下，在您的变频空调驱动器中，它能够实现更平滑、更快速的开关，显著降低运行噪音并提升能效，让用户体验到前所未有的静谧与节能。在工业电机驱动和UPS不间断电源系统中，其高达650V的击穿电压和20A的持续电流能力，提供了坚实的功率基石，确保系统在严苛环境下稳定运行，大幅延长设备寿命。无论是太阳能逆变器需要应对复杂的最大功率点追踪，还是电焊机要求瞬间爆发大电流，STGP10M65DF2都能游刃有余，其出色的热性能（最高结温175°C）和TO-220经典封装，让散热设计变得更为轻松，助力您的产品在小型化道路上走得更远。

选择STGP10M65DF2，就是选择了一份放心的保障和显著的性能跃升。其采用的先进沟槽型场截止技术，带来了低至2V的饱和压降（Vce(on)），这意味着更低的导通损耗，直接转化为更少的发热和更高的系统效率。同时，优化的开关特性（开关能量低）与快速的反向恢复时间（96ns），有效减少了开关损耗和电磁干扰，让您的系统设计更容易满足严格的能效与EMC标准。这颗芯片的卓越表现，源于意法半导体深厚的工艺积累，而通过值得信赖的ST中国代理，您可以便捷地获得正品货源、全面的技术支持和灵活的供应链服务，确保您的项目从研发到量产一路畅通。立即采用STGP10M65DF2，为您的下一代绿色、智能功率产品注入强劲核心！

• 型号:STGP10M65DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A
• 功率 - 最大值:115 W
• 开关能量:120J（导通），270J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:28 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/91ns
• 测试条件:400V，10A，22 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):96 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
• STGP10M65DF2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。