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STGP19NC60KD

  • 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT,封装:TO-220
  • 技术参数:IGBT 600V 35A TO-220
  • (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

STGP19NC60KD参数详情:

您是否正在为下一代工业电机驱动或UPS电源系统寻找一颗能在高压、大电流下稳定运行,同时兼顾效率与可靠性的核心功率器件?想象一下,一个集成了先进PowerMESH技术的解决方案,它能将开关损耗显著降低,让您的整机效率轻松突破95%的门槛。这正是STGP19NC60KD为您带来的核心价值它不仅仅是一个IGBT,更是您提升产品竞争力的强大引擎。

这颗来自意法半导体的明星产品,专为应对严苛的工业环境而生。其600V的集射极击穿电压和35A的持续电流能力,为变频器、电焊机、不间断电源(UPS)以及各类伺服驱动提供了坚实的功率基础。当您的设计面临频繁启停、高负载波动的挑战时,STGP19NC60KD凭借仅2.75V的低饱和压降(Vce(on))和优化的开关特性(开启/关断延迟仅30ns/105ns),能有效减少导通与开关过程中的能量浪费,将更多电能转化为有效输出,直接助力您的终端设备实现更长的运行时间、更低的温升和更安静的工作状态。

选择STGP19NC60KD,意味着您选择了一个经过市场验证的高可靠性伙伴。其TO-220封装不仅成熟可靠、易于焊接和生产,更能承受高达150°C的结温,确保在复杂工况下的长期稳定。更低的栅极电荷(55nC)意味着驱动电路可以更简单、更高效,从而简化您的系统设计,加快产品上市速度。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时,我们的ST中国代理团队将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STGP19NC60KD成为您下一个成功项目的功率核心,共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

  • 型号:STGP19NC60KD
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT 600V 35A TO-220
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):35 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.75V @ 15V,12A
  • 功率 - 最大值:125 W
  • 开关能量:165J(导通),255J(关断)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:55 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/105ns
  • 测试条件:480V,12A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):31 ns
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220
  • STGP19NC60KD的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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