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STGP19NC60SD

  • 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT,封装:TO-220
  • 技术参数:IGBT 600V 40A TO-220
  • (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

STGP19NC60SD参数详情:

当您的下一个工业电机驱动或UPS电源项目面临效率与可靠性的双重考验时,您是否在寻找一个能同时驾驭高性能与高稳定性的核心开关器件?答案或许就藏在STGP19NC60SD这颗强大的IGBT之中。它不仅仅是一个参数表上的组件,更是您提升系统整体价值、赢得市场竞争力的关键引擎。

想象一下,在严苛的工业环境中,设备需要持续稳定地输出动力。STGP19NC60SD凭借其600V的坚固耐压和高达40A的连续电流处理能力,为您构筑了坚实的第一道防线。其核心采用的PowerMESH技术,更是将低导通损耗与卓越的开关性能完美融合,Vce(on)低至1.9V,意味着在相同的功率输出下,更少的能量以热量的形式被浪费,直接为您带来了更高的系统效率和更低的运营成本。无论是变频器驱动电机时复杂的PWM控制,还是不间断电源(UPS)中进行快速、可靠的能源转换,它都能游刃有余,确保能量精准、高效地流动。

将视野投向更广阔的应用场景,从电焊机迸发的稳定电弧,到太阳能逆变器将清洁能源馈入电网,再到各类高性能开关电源,STGP19NC60SD的身影无处不在。它的优势在于全面均衡:130W的最大功耗和宽达-55°C至150°C的工作结温,赋予了它应对热挑战的强大韧性;优化的开关特性(135J开启,815J关断)与仅31ns的反向恢复时间,共同确保了开关过程既迅速又干净利落,极大减少了开关损耗和电磁干扰(EMI),让您的产品设计更容易通过严格的电磁兼容标准。这意味着,选择它,就是为您的终端产品选择了更长的使用寿命、更安静的运行表现和更出色的可靠性口碑。

那么,在纷繁的器件选项中,为何最终锁定STGP19NC60SD?因为它的价值超越单一参数。它代表着意法半导体(STMicroelectronics)在功率器件领域深厚的积累与承诺每一颗“有源”状态的芯片都随时准备为您的创新赋能。经典的TO-220-3通孔封装,兼顾了优异的散热性能和成熟的安装工艺,极大简化了您的生产与维护。当您致力于打造下一代高效、紧凑且可靠的电力电子设备时,这颗芯片就是您值得信赖的伙伴。如需获取样品、技术支援或批量采购,您可以随时联系专业的ST代理商,他们将为您提供从芯片到解决方案的全链路支持,助您的项目快速落地,赢在起点。

  • 型号:STGP19NC60SD
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT 600V 40A TO-220
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,12A
  • 功率 - 最大值:130 W
  • 开关能量:135J(导通),815J(关断)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:54.5 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:17.5ns/175ns
  • 测试条件:480V,12A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):31 ns
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220
  • STGP19NC60SD的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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