STGP30M65DF2

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否还在为平衡性能与成本而苦恼？现在，答案已经揭晓。我们隆重推出STGP30M65DF2，这颗来自ST意法半导体的650V/30A IGBT，正是为打破传统性能瓶颈、重塑高效动力核心而生的卓越解决方案。它不仅仅是一个功率开关，更是您产品在激烈市场竞争中脱颖而出的能量引擎。

想象一下，在您的工业电机驱动器中，每一次精准的启停与调速都伴随着更低的损耗与更少的发热；在您的UPS不间断电源或太阳能逆变器中，电能得以更纯净、更高效地转换与传输。STGP30M65DF2凭借其先进的沟槽型场截止技术，将集电极-发射极饱和压降（Vce(on)）控制在极低的2V（@15V，30A），这意味着更少的导通损耗直接转化为更高的系统效率和更低的运行温度。其高达258W的功率处理能力和175°C的最高结温，赋予了设备在严苛环境下持续稳定运行的强大底气。

选择STGP30M65DF2，就是选择了一份从容与信心。它优化了开关特性，开/关延迟时间短，开关能量得到良好控制，这直接简化了您的驱动电路设计，降低了电磁干扰（EMI），让系统整体更安静、更可靠。经典的TO-220AB封装，兼顾了优异的散热性能与广泛的工艺兼容性，无论是新品开发还是现有方案升级，都能轻松融入。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，遍布全球的ST代理网络随时准备为您提供专业服务。让STGP30M65DF2成为您下一代高效、紧凑、耐用型电力转换设备的智慧心脏，共同开启能效新纪元。

• 型号:STGP30M65DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A
• 功率 - 最大值:258 W
• 开关能量:300J（导通），960J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:80 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns
• 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):140 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
• STGP30M65DF2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。