STGP6M65DF2

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源转换系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够将卓越的导通性能与极速开关特性完美结合的功率器件，将如何彻底改变您的产品格局。现在，这一切不再是想象，STGP6M65DF2正是为您而来的解决方案。

这颗来自ST意法半导体的沟槽型场截止IGBT，以其650V的高耐压和12A的持续电流能力，为工业电机驱动、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和焊接设备等应用场景注入了强劲而可靠的动力核心。其仅2V的低饱和压降（Vce(on)）意味着在导通状态下更少的能量以热的形式浪费，直接提升了系统的整体效率。同时，优化的开关特性极低的开通与关断损耗，让它在高频开关应用中游刃有余，帮助您轻松突破频率与效率的瓶颈，设计出体积更小、功率密度更高的下一代产品。

选择STGP6M65DF2，就是选择了一份经得起考验的卓越与稳定。它不仅仅是一个参数亮眼的组件，更是ST深厚技术底蕴的体现。其宽广的-55°C至175°C结温工作范围，确保了在严苛环境下依然稳定运行，大幅提升了终端产品的耐用性和可靠性。经典的TO-220封装形式，兼顾了优异的散热性能与广泛的工艺兼容性，让您的生产导入轻松无虞。当您寻求这样一款能同时提升性能、效率与可靠性的关键器件时，通过值得信赖的ST代理进行采购，将是保障产品供应链稳定与获得专业技术支持的有力一步。让STGP6M65DF2成为您产品竞争力的强大引擎，共同开启高效节能的新篇章。

• 型号:STGP6M65DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 12A TO-220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:12 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A
• 功率 - 最大值:88 W
• 开关能量:40J（导通），136J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:21.2 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns
• 测试条件:400V，6A，22 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):140 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
• STGP6M65DF2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。