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STGSB200M65DF2AG供应商
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STGSB200M65DF2AG
- 制造厂商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT，封装:9-ACEPACK SMIT
- 技术参数：IGBT TRENCH FS 650V 216A 9ACEPAK
- （专注销售ST电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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STGSB200M65DF2AG参数详情：
- 型号:STGSB200M65DF2AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:9-ACEPACK SMIT
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 216A 9ACEPAK
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:216 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):700 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，200A
- 功率 - 最大值:714 W
- 开关能量:3.82mJ（导通），6.97mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:554 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:122ns/250ns
- 测试条件:400V，200A，4.7 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):174.5 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:9-PowerSMD
- 供应商器件封装:9-ACEPACK SMIT
- STGSB200M65DF2AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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