STGW15H120DF2

在追求极致效率的电力电子世界，您是否还在为功率器件的性能瓶颈而妥协？当系统需要承受1200V高压、处理15A持续电流时，传统的解决方案往往意味着更高的损耗、更大的散热压力以及更复杂的电路设计。今天，这一切将被重新定义。我们隆重推出意法半导体的革新之作STGW15H120DF2，这颗采用先进沟槽型场截止技术的IGBT，正是为打破常规、释放系统潜能而生。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源(UPS)或太阳能逆变器的核心功率模块中，STGW15H120DF2正以其卓越的性能稳定运行。它高达1200V的击穿电压和30A的最大集电极电流，为系统提供了坚固的安全边际和强大的功率处理能力。更令人振奋的是，其集射极饱和压降(Vce(on))在15A电流下仅为2.6V，配合低至380J和370J的开关能量，意味着在每一次开关动作中，能量损耗都被大幅削减。这不仅直接提升了整机效率，更能让您的散热设计变得更加轻松，系统体积得以进一步优化，在激烈的市场竞争中为您赢得宝贵的先机。

选择STGW15H120DF2，就是选择了一份可靠与高效并重的承诺。其快速的开关特性（开启延迟仅23ns）确保了精准的控制响应，而宽广的-55°C至175°C结温工作范围，则让它无惧严苛的环境挑战，保障设备长期稳定运行。经典的TO-247封装，兼顾了优异的散热性能和成熟的工艺兼容性，让您的产品升级或新设计导入过程平滑顺畅。当您需要这样一颗能够担当重任的核心功率器件时，请务必联系值得信赖的ST芯片代理，获取正品保障与专业的技术支持，让STGW15H120DF2成为您下一代高性能电源与驱动系统中最值得信赖的“动力心脏”。

• 型号:STGW15H120DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A
• 功率 - 最大值:259 W
• 开关能量:380J（导通），370J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:67 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns
• 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):231 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW15H120DF2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。