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STGW20H60DF

  • 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT,封装:TO-247
  • 技术参数:IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-247
  • (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

STGW20H60DF参数详情:

想象一下,当您的工业电机驱动或光伏逆变器需要在600V高压下稳定输出40A电流时,传统方案是否总在效率与温升之间艰难妥协?现在,答案来了STGW20H60DF以革命性的沟槽型场截止技术,将集射极导通压降低至惊人的2V@20A,让功率损耗直降30%,如同为高负荷应用注入一剂强心针。这颗167W功率容量的IGBT,不仅承载着持续40A、峰值80A的电流输出使命,更通过209J的开通能量与261J的关断能量优化,实现了42.5ns/177ns的极速开关响应,让您的系统在频繁启停中依然游刃有余。

从自动化产线上奔腾的伺服电机,到新能源领域的光伏逆变阵列,再到不断追求能效升级的UPS不间断电源,STGW20H60DF的身影正成为高可靠性设计的代名词。其TO-247封装不仅兼容主流散热方案,更凭借-55°C至175°C的宽温工作能力,无畏严苛环境挑战。当90ns的反向恢复时间遇上115nC的低栅极电荷需求,意味着驱动电路得以简化,系统整体成本悄然下降这正是意法半导体深耕功率器件领域数十年的技术厚积薄发。

选择STGW20H60DF,不仅是选择一颗参数卓越的IGBT,更是选择一套以稳定性为核心的价值体系。它用实测的400V/20A动态性能数据说话,用低于行业平均水平的开关损耗为您赢得能效认证的先机。若您正在寻找长期可靠的供应链伙伴,遍布全球的ST芯片代理网络将为您提供从选型支持到量产保障的一站式服务。让这颗凝聚尖端场截止技术的功率芯片,成为您下一代绿色能源产品中最坚韧的动力心脏。

  • 型号:STGW20H60DF
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-247
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-247
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2V @ 15V,20A
  • 功率 - 最大值:167 W
  • 开关能量:209J(导通),261J(关断)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:115 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:42.5ns/177ns
  • 测试条件:400V,20A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):90 ns
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 供应商器件封装:TO-247
  • STGW20H60DF的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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