STGW20IH125DF

在追求更高能效与可靠性的工业电力转换领域，您是否正在寻找一颗能够从容应对1250V高压、40A大电流挑战的核心开关器件？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体旗下的高性能IGBTSTGW20IH125DF，它不仅仅是一个组件，更是您提升系统性能、迈向卓越能效的强力引擎。

这颗芯片采用了先进的沟槽型场截止技术，将高达1250V的击穿电压与仅2.5V的低饱和压降完美结合。这意味着在您的大功率应用中，它能显著降低导通损耗，将更多电能高效地转化为有用功，而不是白白浪费为热量。其高达259W的功率处理能力和175°C的最高结温，赋予了它无与伦比的坚固性与可靠性，即使在最严苛的工业环境下也能稳定运行，让您的设备寿命更长，维护更少。

从工业电机驱动到不间断电源（UPS），从太阳能逆变器到电焊机，STGW20IH125DF都是您理想的功率开关选择。它卓越的开关特性（关断能量仅410J）与标准输入类型，让系统设计变得更为简洁高效，您无需为复杂的驱动电路而烦恼，可以更专注于整体架构的创新与优化。选择它，就是为您的产品注入了意法半导体领先的功率半导体基因，确保其在激烈的市场竞争中保持性能领先。

当您决定为下一个项目选择这颗高性能IGBT时，获得正品与可靠的技术支持至关重要。我们推荐您通过官方授权的ST代理商进行采购，这不仅能保证您拿到百分百原装正品，还能获得完整的数据手册、应用笔记以及专业的设计支持，让您的产品从概念到量产一路畅通。立即行动，让STGW20IH125DF成为您撬动更高能效与可靠性的支点，共同开启绿色能源与智能工业的新篇章。

• 型号:STGW20IH125DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1250V 40A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1250 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A
• 功率 - 最大值:259 W
• 开关能量:410J（关）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:68 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:-/106ns
• 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247
• STGW20IH125DF的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。