STGW25H120DF2

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否还在为高功率应用中的开关损耗与散热难题而困扰？现在，让我们向您介绍一个划时代的解决方案STGW25H120DF2。这款来自ST意法半导体的1200V/25A IGBT，以其卓越的沟槽型场截止技术和高达175°C的结温工作能力，正在重新定义中高功率设计的性能边界。它不仅是一颗芯片，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的强大引擎。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源(UPS)或太阳能逆变器的核心功率单元中，STGW25H120DF2正以其高达375W的功率处理能力和仅2.6V的低饱和压降，高效地驾驭着能量流。其快速的开关特性（开启延迟仅29ns）与优化的开关能量（600J开，700J关），意味着更低的开关损耗和更高的开关频率成为可能，从而让您的设备体积更小巧、效率更出众。无论是应对严苛的工业环境还是追求极致的能源转换，它都能提供稳定而强劲的动力核心。

选择STGW25H120DF2，就是选择了一份经得起验证的卓越与安心。它传承了ST在功率半导体领域的深厚积淀，TO-247经典封装确保了优异的散热性和坚固的机械可靠性，让您的设计从容应对高功率密度挑战。其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）和高达100A的脉冲电流能力，为系统应对浪涌和过载提供了充足的余量。当您需要可靠的技术支持和供应链保障时，遍布全球的ST代理网络将是您坚实的后盾。立即采用STGW25H120DF2，让它成为您下一代绿色、智能、高效能源产品的强大心脏，共同开启能效新纪元。

• 型号:STGW25H120DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:600J（导通），700J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:100 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns
• 测试条件:600V，25A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):303 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW25H120DF2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。