STGW25M120DF3

当您的工业电机驱动系统需要在高功率下保持稳定运行时，是否曾为开关损耗和散热问题而困扰？这正是STGW25M120DF3大显身手的舞台。作为ST意法半导体精心打造的1200V/50A沟槽型场截止IGBT，它不仅仅是一个功率开关，更是您提升系统效率、降低综合成本的强力引擎。其2.3V的低饱和压降与出色的开关特性，直接转化为更低的导通与开关损耗，让能量在您的设备中更顺畅地流动，而非浪费在发热上。

无论是严苛的工业变频器、不断启停的伺服驱动，还是对可靠性要求极高的不间断电源(UPS)和太阳能逆变器，STGW25M120DF3都能轻松应对。它高达175°C的结温工作能力，配合TO-247经典封装带来的优异散热性能，确保了设备在高温环境下依然稳定如山。这意味着您的产品可以设计得更紧凑，散热系统更简化，却能在长时间满负荷运行中展现出超越同级的耐久力。选择它，就是为您的核心动力单元选择了一位值得信赖的“耐力冠军”。

那么，在众多功率器件中，为何STGW25M120DF3能脱颖而出成为您的理想之选？答案在于其卓越的价值平衡。它集高电压、大电流、低损耗与高鲁棒性于一身，375W的最大功耗能力为设计留出了充足的安全裕度。更快的开关速度（28ns开启延迟）与优化的反向恢复特性，显著降低了开关噪声和EMI干扰，让您的系统不仅高效，而且“安静”可靠。当您寻求稳定供应与技术支持时，遍布全球的ST代理商网络将是您坚实的后盾，确保从样品到批量生产一路畅通。选择STGW25M120DF3，就是选择了一个经过市场验证的高性能解决方案，它将直接助力您的终端产品在能效和可靠性上建立显著优势，赢得市场先机。

• 型号:STGW25M120DF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，25A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:850J（导通），1.3mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:85 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/150ns
• 测试条件:600V，25A，15欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):265 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW25M120DF3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。