STGW25S120DF3
制造厂商：ST（中文名：意法半导体）
类别封装：IGBT - 单路，TO-247-3
技术参数：IGBT 1200V 25A TO247
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参数详情：
ST意法半导体公司完整型号: STGW25S120DF3制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）功能总体简述: IGBT 1200V 25A TO247系列: -IGBT 类型: 沟道和场截止电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200V电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 50A脉冲电流 - 集电极 (Icm): 100A不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）: 2.1V @ 15V，25A功率 - 最大值: 375W开关能量: 830J（开），2.37mJ（关）输入类型: 标准栅极电荷: 80nC25°C 时 Td（开/关）值: 31ns/147ns测试条件: 600V，25A，15欧姆，15V反向恢复时间（trr）: 265ns封装/外壳: TO-247-3安装类型: 通孔供应商器件封装: TO-247-3STGW25S120DF3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
