




STGW30H65FB
- 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT,封装:TO-247
- 技术参数:IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-247
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STGW30H65FB参数详情:
当您的下一个工业电机驱动或UPS电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时,您是否在寻找一颗能同时驾驭高功率与快速切换的“心脏”?答案或许就藏在STGW30H65FB之中。这颗来自意法半导体的650V/30A IGBT,不仅仅是一个参数,它是您提升系统整体性能、赢得市场竞争力的关键赋能者。
想象一下,在变频器驱动中,它凭借仅2V的低饱和压降(Vce(on)),将导通损耗大幅降低,让电能转换更纯粹,热量产生更少。其高达120A的脉冲电流处理能力,足以从容应对电机启动时的瞬间冲击,确保系统稳定如山。而151J(开)与293J(关)的优异开关能量表现,意味着更快的切换速度与更低的开关损耗,这对于追求高频率、高效率的太阳能逆变器或焊接电源应用而言,无疑是巨大的福音。从-55°C到175°C的宽广结温工作范围,更是赋予了它无惧严苛环境挑战的坚韧品质,无论是炎热的车间还是寒冷的户外,性能始终如一。
这正是为什么越来越多的工程师在涉及电机控制、不间断电源、感应加热和新能源发电的系统选型中,会将目光聚焦于此。它不仅仅是一颗晶体管,更是一个经过优化的解决方案。沟槽型场截止技术带来了更紧凑的芯片设计和更出色的导通特性,而TO-247经典封装则确保了卓越的散热能力和便捷的安装工艺。当您需要构建一个既高效又坚固的功率转换平台时,STGW30H65FB提供的正是这种令人安心的平衡在性能、可靠性与成本之间找到最佳支点。选择它,就是选择了一份经过市场验证的卓越与稳定。如需获取正品保障与专业技术支持,我们推荐您咨询权威的ST一级代理。
归根结底,在功率电子领域,细节决定成败。每一瓦损耗的降低,每一次开关速度的提升,都直接转化为产品的能效优势和市场竞争力。STGW30H65FB以其260W的强大功率处理能力和优化的动态参数,正是为了帮助您赢得这些细微却至关重要的胜利。让它成为您下一个成功设计的强大引擎,释放系统的全部潜能。
- 型号:STGW30H65FB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A
- 功率 - 最大值:260 W
- 开关能量:151J(导通),293J(关断)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:149 nC
- 25°C 时 Td(开/关)值:37ns/146ns
- 测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247
- STGW30H65FB的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















