STGW30N120KD

当您需要在高功率应用中实现卓越的效率和可靠性时，是否曾为选择一款性能与成本兼顾的功率开关器件而犹豫？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体的明星产品STGW30N120KD，这颗基于先进PowerMESH技术的IGBT，正是为应对严苛工业环境而生的高效解决方案。它不仅仅是一个组件，更是您提升系统整体性能、降低长期运营成本的得力助手。

想象一下，在变频器驱动、不间断电源(UPS)或工业焊接设备的核心电路中，稳定与高效是生命线。STGW30N120KD凭借其1200V的高击穿电压和60A的连续集电极电流能力，能够从容应对高电压大电流的冲击，确保您的设备在满负荷运行时依然稳定如山。其优化的开关特性，如较低的开关能量（开启仅2.4mJ，关闭4.3mJ）和快速的开关速度，直接转化为更低的开关损耗和更少的发热，这意味着您的系统可以运行得更凉爽、更持久，同时显著提升能源转换效率，将每一度电的价值发挥到极致。

为什么众多工程师在面临关键设计选型时，会倾向于选择这款产品？其核心优势在于卓越的性能平衡。它提供了标准输入类型的便利性，同时保持了出色的导通特性（Vce(on)典型值低至3.85V），在高效与易用性之间取得了完美平衡。宽广的工作温度范围（-55°C至125°C结温）使其能够适应从寒冷户外到高温机箱内的各种恶劣环境，可靠性毋庸置疑。对于寻求稳定供货和技术支持的客户，通过值得信赖的ST中国代理进行采购，不仅能确保获得原装正品，还能获得本地化的专业服务与快速响应，为您的项目从设计到量产全程保驾护航。选择STGW30N120KD，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与面向未来的高性能。

• 型号:STGW30N120KD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 1200V 60A TO-247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:3.85V @ 15V，20A
• 功率 - 最大值:220 W
• 开关能量:2.4mJ（导通），4.3mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:105 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/251ns
• 测试条件:960V，20A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):84 ns
• 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW30N120KD的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。