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STGW30NC60VD供应商
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STGW30NC60VD
- 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT,封装:TO-247-3
- 技术参数:IGBT 600V 80A TO-247-3
- (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
STGW30NC60VD参数详情:
在追求极致能效与可靠性的电力电子世界里,您是否还在为高功率应用中的开关损耗与散热难题而困扰?今天,我们为您带来一个颠覆性的解决方案STGW30NC60VD。这颗来自意法半导体PowerMESH家族的600V/80A IGBT,正是为高效、坚韧而生,它将重新定义您对功率器件性能的期待。
想象一下,在您的工业电机驱动、不间断电源(UPS)或太阳能逆变器系统中,一颗芯片需要同时承担高电压、大电流的严苛考验。STGW30NC60VD正是为此类场景量身打造。其600V的集射极击穿电压和高达80A的连续集电极电流,为系统提供了坚实的功率基石。更令人振奋的是,它拥有极低的导通压降(Vce(on)典型值仅2.5V@20A),这意味着在相同功率下,它能将更多的电能转化为有用功,而非无谓的热量,直接为您节省运营成本,提升整体能效。
选择STGW30NC60VD,就是选择了一份从容与安心。它采用了先进的PowerMESH技术,不仅实现了更快的开关速度(开启延迟仅31ns),更将开关损耗显著降低。220J的开启能量与330J的关断能量,让它在高频开关应用中游刃有余,同时保持了出色的抗短路能力。其TO-247封装提供了卓越的散热性能,确保芯片在-55°C至150°C的广阔结温范围内稳定工作,极大延长了设备的使用寿命。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时,遍布全球的ST代理网络随时准备为您服务,确保您的项目从设计到量产一路畅通。让STGW30NC60VD成为您下一代高可靠性电源与驱动设计的核心动力,开启高效节能的新篇章。
- 型号:STGW30NC60VD
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 600V 80A TO-247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,20A
- 功率 - 最大值:250 W
- 开关能量:220J(导通),330J(关断)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:100 nC
- 25°C 时 Td(开/关)值:31ns/100ns
- 测试条件:390V,20A,3.3 欧姆,15V
- 反向恢复时间 (trr):44 ns
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247-3
- STGW30NC60VD的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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