STGW40H120DF2

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否正在寻找一颗能在高压、大电流场景下稳定输出，同时兼顾快速开关与低损耗的“心脏”？STGW40H120DF2正是为此而生。它不仅仅是一个IGBT，更是意法半导体先进沟槽型场截止技术的结晶，集1200V高耐压、40A持续电流与高达80A的集电极电流能力于一身，为您的高要求应用注入澎湃而精准的动力。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源(UPS)或太阳能逆变器中，系统需要应对复杂的负载变化与严苛的环境。STGW40H120DF2凭借其仅2.6V的低饱和压降（Vce(on)），能显著降低导通损耗，让电能转换更高效，热量产生更少。其优化的开关特性开启与关断能量分别低至1mJ和1.32mJ，结合快速的开关时间，意味着它能在高频下从容工作，减少开关损耗，提升系统整体效率与功率密度。无论是驱动重型机械还是保障关键设备的电力纯净，它都能提供坚实可靠的支持。

选择STGW40H120DF2，就是选择了一份从容与信心。其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C结温）确保了它在极端环境下依然稳定，TO-247-3的经典封装则提供了优异的散热能力和成熟的安装工艺。这颗芯片将帮助您轻松应对设计挑战，缩短开发周期，最终打造出性能卓越、市场竞争力强的产品。若您需要可靠的技术支持与便捷的供应链服务，专业的ST中国代理将是您值得信赖的合作伙伴，助您将这颗高性能芯片的价值发挥到极致。

• 型号:STGW40H120DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A
• 功率 - 最大值:468 W
• 开关能量:1mJ（导通），1.32mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:187 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/152ns
• 测试条件:600V，40A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):488 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW40H120DF2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。