STGW40H120F2

当您的工业电机驱动系统需要在高功率下保持稳定运行，同时还要应对严苛的温度环境时，您会选择什么样的功率开关器件？答案可能就藏在意法半导体推出的这款高性能IGBT之中。我们隆重向您介绍STGW40H120F2，它不仅仅是一个组件，更是您提升系统可靠性、效率和功率密度的关键引擎。凭借1200V的击穿电压和高达80A的连续集电极电流，这颗芯片天生就是为挑战高压、大电流的工业应用而设计的，让您的产品在激烈的市场竞争中拥有坚实的硬件基石。

想象一下，在变频器驱动着大型工业风扇、水泵或压缩机持续运转的场景中，或者在不断启停、需要快速响应的伺服控制系统里，STGW40H120F2都能游刃有余。它采用的先进沟槽型场截止技术，带来了仅为2.6V的低饱和压降，这意味着在相同的输出功率下，芯片自身的损耗更小，发热量更低，系统的整体能效得以显著提升。更低的开关能量（开启仅1mJ）和优化的开关时序，确保了它在高频开关应用中依然能保持出色的动态性能，无论是电焊机、不间断电源(UPS)还是太阳能逆变器，它都能帮助您构建出更安静、更紧凑、更高效的电源转换方案。

选择STGW40H120F2，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺和长期价值。其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C结温）赋予了产品无与伦比的环境适应能力，即使在极端条件下也能稳定工作，大大延长了设备的使用寿命并降低了维护成本。经典的TO-247封装不仅提供了卓越的散热性能，也简化了您的PCB设计和生产流程。当您需要为项目寻找可靠、高性能的功率解决方案时，与值得信赖的ST代理商合作，获取正品STGW40H120F2及相关技术支持，无疑是迈向成功最明智的一步。让它成为您下一代高可靠性电力电子产品的强大心脏，共同开启高效节能的新篇章。

• 型号:STGW40H120F2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，40A
• 功率 - 最大值:468 W
• 开关能量:1mJ（导通），1.32mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:158 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/152ns
• 测试条件:600V，40A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW40H120F2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。