STGW40M120DF3

在追求极致能效与可靠性的工业与新能源领域，您是否还在为功率转换系统的效率瓶颈和散热难题而困扰？现在，一颗集高性能与高可靠性于一身的解决方案已经到来STGW40M120DF3。这款来自意法半导体的1200V/80A IGBT，以其卓越的沟槽型场截止技术和高达468W的功率处理能力，正重新定义中高功率应用的性能标准。它不仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键引擎。

想象一下，在光伏逆变器中，它能够高效稳定地将太阳能转化为清洁电能；在不间断电源(UPS)和工业电机驱动中，它确保动力输出的平滑与精准，即使在严苛的负载波动下也能游刃有余。其宽广的-55°C至175°C结温工作范围，让您的设备无惧酷暑与严寒，在各类复杂环境中保持稳定运行。选择ST中国代理，您将获得从这颗强大芯片到全方位技术支持的完整价值链服务，确保您的项目从设计到量产一路畅通。

为何众多工程师将STGW40M120DF3作为首选？答案在于其无与伦比的综合价值。2.3V的低饱和压降（Vce(on)）意味着更低的导通损耗，直接转化为更高的系统效率和更少的发热量。同时，优化的开关特性（开关能量低至1.5mJ/2.25mJ）与快速的开关速度，显著降低了开关损耗和电磁干扰(EMI)，让您的设计在满足能效标准的同时，更容易通过严格的电磁兼容测试。TO-247经典封装提供了出色的散热能力和便捷的安装方式，简化了您的生产流程。无论是升级现有产品还是开发下一代高性能平台，STGW40M120DF3都能为您提供坚实的性能基石和显著的可靠性优势，助您轻松驾驭1200V电压等级的功率挑战，赢得市场先机。

• 型号:STGW40M120DF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A
• 功率 - 最大值:468 W
• 开关能量:1.5mJ（导通），2.25mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:125 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/140ns
• 测试条件:600V，40A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):355 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW40M120DF3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。