STGW40V60DLF

在追求更高能效与更紧凑设计的电力电子世界，您是否正在寻找一颗能在600V高压下稳定输出80A强劲电流，同时将开关损耗降至新低的核心功率器件？答案就在STGW40V60DLF。这颗来自意法半导体的沟槽型场截止IGBT，不仅仅是一个参数，它是您提升系统性能、赢得市场竞争力的关键引擎。其高达283W的功率处理能力和低至2.3V的饱和压降，意味着在相同的输出功率下，它能为您带来更低的导通损耗和更出色的温升表现，直接将效率转化为实实在在的节能收益和更长的设备寿命。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源(UPS)或太阳能逆变器的核心功率模块中，STGW40V60DLF正以其卓越的开关特性（关断能量仅411J）和高达175°C的结温工作能力，从容应对频繁启停和高负载冲击。它让您的变频器运行更安静、更凉爽，让您的储能系统转换效率再上一个台阶。无论是面对严苛的工业环境还是追求极致可靠性的能源领域，它都能提供坚实的性能基石。选择它，就是为您的产品注入了意法半导体领先的功率半导体基因，而通过值得信赖的ST一级代理进行采购，更能确保您获得正品保障和及时的技术支持。

为何众多工程师在关键设计中青睐STGW40V60DLF？因为它完美平衡了性能、可靠性与成本。TO-247经典封装提供了优异的散热路径和成熟的安装工艺，大幅降低了您的生产与维护复杂度。其标准输入类型简化了驱动电路设计，让您能更专注于系统级的优化与创新。从-55°C到175°C的宽广工作温度范围，确保了产品在极端气候下的稳定运行，极大地拓展了应用边界。这颗“有源”的明星器件，正等待着在您的下一个革新性产品中释放全部潜能，助您打造出更高效、更紧凑、更具市场竞争力的电源与驱动解决方案。

• 型号:STGW40V60DLF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A
• 功率 - 最大值:283 W
• 开关能量:411J（关）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:226 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:-/208ns
• 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW40V60DLF的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。