STGW50H60DF

在追求更高能效与可靠性的工业与能源领域，您是否还在为功率开关器件的性能瓶颈而困扰？想象一下，一个能够同时驾驭600V高压与100A大电流，却能将导通损耗降至新低的解决方案，将如何彻底改变您的产品设计？今天，我们向您隆重介绍意法半导体（STMicroelectronics）的明星产品STGW50H60DF，这颗集卓越性能与坚固耐用于一身的IGBT，正是为应对严苛挑战而生。

当您深入其核心，便会发现它的非凡之处。采用先进的沟槽型场截止技术，STGW50H60DF在50A电流下仅产生1.8V的低饱和压降，这意味着更少的热量产生和更高的系统效率。其高达360W的功率处理能力和150°C的最大结温，赋予了它在工业电机驱动、不间断电源（UPS）、电焊机和光伏逆变器等高压大功率场景中游刃有余的资本。无论是驱动重型机械的变频器，还是保障关键设备不断电的电源系统，它都能提供稳定、强劲的心脏动力，确保您的设备在高效运行中赢得市场先机。

选择STGW50H60DF，不仅仅是选择了一个高性能的元器件，更是选择了一份值得信赖的长期价值。它拥有快速的开关特性（开启/关闭延迟低至62ns/178ns）和优化的反向恢复时间（55ns），这直接转化为更低的开关损耗和更高的工作频率潜力，让您的系统设计更紧凑、响应更迅捷。经典的TO-247封装确保了出色的散热能力和便捷的安装工艺。虽然该型号已处于停产状态，但通过可靠的ST授权代理渠道，您依然可以获取经过严格质量控制的原装现货，为现有产品的维护升级或特定项目需求提供坚实保障。让STGW50H60DF成为您提升产品竞争力、征服高要求应用市场的秘密武器。

• 型号:STGW50H60DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，50A
• 功率 - 最大值:360 W
• 开关能量:890J（导通），860J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:217 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:62ns/178ns
• 测试条件:400V，50A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):55 ns
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW50H60DF的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。