STGW60V60DF

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否正在寻找一颗能在600V高压、80A大电流场景下稳定输出，同时将损耗降至最低的功率开关解决方案？答案就在STGW60V60DF。这颗来自意法半导体的沟槽型场截止IGBT，不仅仅是参数的堆砌，更是性能与可靠性的完美化身。它拥有高达375W的功率处理能力，集电极脉冲电流可达240A，却能将导通压降Vce(on)控制在惊人的2.3V@60A，这意味着更少的能量以热的形式浪费，让您的系统运行更凉爽、效率更高，直接转化为可观的成本节约和更长的产品寿命。

无论是驱动工业电机变频器、构建不间断电源(UPS)的核心逆变模块，还是为新能源领域的太阳能逆变器或充电桩提供强劲动力，STGW60V60DF都能游刃有余。其卓越的开关特性开启延迟仅60ns，关闭延迟208ns，配合低至750J和550J的开关能量，确保了在高频开关应用中依然能保持极低的开关损耗和电磁干扰(EMI)。这使得设计师能够采用更高的开关频率，从而缩小磁性元件的体积，实现系统整体的小型化和轻量化。从-55°C到175°C的宽广结温工作范围，赋予了它应对严苛环境挑战的坚韧品质，无论是酷暑还是严寒，都能稳定护航。

选择STGW60V60DF，就是选择了一份由顶尖半导体技术背书的高效与安心。它采用的先进沟槽型场截止技术，在提供低导通损耗的同时，实现了更快的开关速度和优异的短路耐受能力。经典的TO-247-3封装，不仅散热性能出色，也便于安装和焊接，大大简化了您的生产流程。当您需要这样一颗高性能的IGBT来提升产品竞争力时，别忘了通过值得信赖的ST中国代理获取正品货源和专业的技术支持，他们将为您从选型到量产提供一站式服务，让创新之路畅通无阻。

• 型号:STGW60V60DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:750J（导通），550J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:334 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/208ns
• 测试条件:400V，60A，4.7 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):74 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW60V60DF的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。