STGW80H65DFB

当您的工业电机驱动系统需要兼顾高效能与高可靠性时，是否曾为功率器件的选择而犹豫？今天，我们为您带来一个集性能、效率与坚固性于一身的卓越解决方案STGW80H65DFB。这款来自意法半导体的650V/120A IGBT，以其高达469W的功率处理能力和先进的沟槽型场截止技术，正重新定义中高功率应用的性能标杆。它不仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键引擎。

想象一下，在变频器、UPS不间断电源或电焊机的核心电路中，STGW80H65DFB正稳定高效地工作着。其仅2V的低饱和压降（Vce(on)）意味着更低的导通损耗，而2.1mJ（开）和1.5mJ（关）的优异开关能量指标，则确保了快速的开关响应与极低的开关损耗。这使得系统整体效率显著提升，热能产生更少，散热设计得以简化，最终让您的终端设备运行更凉爽、更安静、寿命更长。无论是面对工业环境的严苛挑战，还是追求家用电器的高效静音，它都能游刃有余。

选择STGW80H65DFB，就是选择了一份经得起验证的卓越与安心。其宽达-55°C至175°C的结温工作范围，赋予了产品无与伦比的环境适应性与鲁棒性。经典的TO-247封装不仅提供了出色的散热能力，也便于安装与生产。当您与可靠的ST芯片代理合作时，您获得的将不仅仅是这颗高性能芯片本身，更是从技术选型支持到稳定供应链保障的全方位价值。让STGW80H65DFB成为您下一个成功项目的强大心脏，驱动创新，赢取市场。

• 型号:STGW80H65DFB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A
• 功率 - 最大值:469 W
• 开关能量:2.1mJ（导通），1.5mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:414 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns
• 测试条件:400V，80A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):85 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247
• STGW80H65DFB的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。