STGW80V60DF

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界里，您是否还在为功率器件的性能瓶颈而妥协？想象一下，一个能够同时驾驭600V高压与120A大电流，却将导通损耗与开关损耗双双压至新低的解决方案，它将如何重塑您的产品竞争力？今天，我们带来的STGW80V60DF，正是意法半导体为应对这一挑战交出的满分答卷。它不仅仅是一颗IGBT，更是您通向更高效率、更紧凑设计和更强健系统的钥匙。

当您设计新一代的工业电机驱动、不断电电源系统或太阳能逆变器时，对功率核心的要求苛刻无比：它必须在频繁的开关中保持冷静，在严苛的温度下稳定输出，并以最小的损耗传递最大的能量。STGW80V60DF凭借其先进的沟槽型场截止技术，将集射极导通压降低至仅2.3V，这意味着在相同的电流下，更多的电能被有效利用，而非转化为令人头疼的热量。其高达469W的功率处理能力和175°C的结温工作范围，让您的设备即使在最恶劣的环境下也能持续高负荷运行，可靠性无可挑剔。

选择STGW80V60DF，就是选择了一份面向未来的保障。它极低的开关能量（开启仅1.8mJ，关断仅1mJ）和快速的开关特性，直接助力于提升系统整体开关频率，让您的电源设计可以选用更小的磁性元件，从而实现系统体积的显著缩小和成本的优化。经典的TO-247封装确保了优异的散热能力和广泛的工艺兼容性，让升级替换或全新设计都变得轻松自如。如果您正在寻找一个值得信赖的合作伙伴，我们作为官方授权的ST一级代理，不仅能提供原装正品，更能为您带来专业的技术支持和供应链保障，让您的创新之旅毫无后顾之忧。

• 型号:STGW80V60DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A
• 功率 - 最大值:469 W
• 开关能量:1.8mJ（导通），1mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:448 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns
• 测试条件:400V，80A，5 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):60 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3 焊盘
• 供应商器件封装:TO-247
• STGW80V60DF的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。