STGWA15H120F2

在追求更高能效和更紧凑设计的电力电子领域，您是否还在为功率器件的性能瓶颈而困扰？想象一下，一个能够同时驾驭1200V高压和15A电流，却将导通损耗和开关损耗双双压至新低的解决方案，将为您的产品带来怎样的性能飞跃？今天，我们向您隆重介绍意法半导体的革新力作STGWA15H120F2，这颗采用先进沟槽型场截止技术的IGBT，正是为打破常规、重塑标准而生。

它的卓越之处首先体现在惊人的效率上。在15V驱动电压、15A电流条件下，其集射极饱和压降低至仅2.6V，这意味着在相同的功率输出下，芯片自身产生的热量大幅减少，系统整体能效显著提升。高达259W的最大功率处理能力和175°C的最高结温，赋予了它无与伦比的可靠性和功率密度，让您的设备在严苛环境中也能稳定运行，游刃有余。更令人印象深刻的是其开关性能，开启延迟仅23纳秒，关闭延迟111纳秒，配合380J和370J的超低开关能量，使得它在高频开关应用中能够大幅降低开关损耗，提升系统频率成为可能，从而让磁性元件更小、系统更紧凑。

无论是工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器，还是电焊机和感应加热设备，STGWA15H120F2都能成为您设计中的核心动力。它那1200V的坚固耐压，轻松应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰；30A的连续电流与60A的脉冲电流能力，足以驱动主流的中功率电机和负载。选择它，就意味着为您的产品注入了高效、可靠与长寿的基因。其经典的TO-247-3封装，不仅散热性能优异，也便于工程师进行布板和热管理设计，大大加速了产品从原型到量产的进程。

当您需要一个值得信赖的伙伴来提供如此卓越的芯片时，选择一家专业的ST代理商至关重要。他们不仅能确保您获得原装正品和稳定的供货支持，更能提供专业的技术服务和选型指导。总而言之，STGWA15H120F2不仅仅是一个电子元件，它是您提升产品竞争力、实现能效突破的战略性选择。拥抱它，就是拥抱更高效、更可靠、更具创新力的未来。

• 型号:STGWA15H120F2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A
• 功率 - 最大值:259 W
• 开关能量:380J（导通），370J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:67 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns
• 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGWA15H120F2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。