STGWA25M120DF3

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为功率器件的性能瓶颈而困扰？当系统需要处理1200V高压、承载50A电流时，传统的解决方案往往在效率、热管理和开关速度之间难以平衡。现在，这一切有了更优解让我们向您隆重介绍STGWA25M120DF3，这颗来自意法半导体的新一代沟槽型场截止IGBT，正是为突破这些限制而生。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现设计飞跃的关键引擎。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源(UPS)或太阳能逆变器的核心功率单元中，STGWA25M120DF3正以其卓越的性能稳定运行。其1200V的击穿电压和50A的连续电流能力，为高压大功率应用提供了坚实的保障。更令人印象深刻的是，它在25A电流下仅2.3V的低饱和压降，这意味着更低的导通损耗，直接转化为更高的系统效率和更少的热量产生。无论是应对严苛的工业环境，还是追求极致能效的绿色能源系统，它都能游刃有余，确保您的设备在-55°C至175°C的宽广结温范围内稳定工作。

选择STGWA25M120DF3，就是选择了一份经得起考验的可靠与高效。其采用的先进沟槽型场截止技术，带来了更快的开关速度（开启延迟仅28ns）和更低的开关能量损耗，这对于提升系统开关频率、减小无源元件尺寸至关重要。TO-247-3的经典封装形式，兼顾了优异的散热能力和广泛的工艺兼容性，让您的生产集成轻松顺畅。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的ST芯片代理服务网络将全程为您护航。这颗集高电压、大电流、低损耗、强鲁棒性于一身的功率芯片，无疑是您下一款高端电力转换设备设计中，最值得信赖的核心动力之选。

• 型号:STGWA25M120DF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，25A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:850J（导通），1.3mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:85 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/150ns
• 测试条件:600V，25A，15欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):265 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• STGWA25M120DF3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。