STGWA25S120DF3

在追求极致能效与可靠性的工业电力转换领域，您是否正在寻找一颗既能承受高电压冲击，又能保持快速响应与低损耗的核心开关器件？答案或许就藏在STGWA25S120DF3这颗性能卓越的IGBT之中。它不仅仅是一个组件，更是您提升系统整体竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在变频驱动、不间断电源或太阳能逆变器的核心功率模块中，需要一颗心脏般强劲而稳定的开关。STGWA25S120DF3正是为此而生。它采用先进的沟槽型场截止技术，在高达1200V的电压下依然稳如磐石，最大集电极电流可达50A，脉冲能力甚至高达100A，足以应对电机启动或负载突变时的瞬时大电流冲击。其2.1V的低饱和压降（Vce(on)）意味着在导通状态下，能量损耗被大幅降低，直接将更高的效率转化为您的产品优势，让热量更少，系统更可靠，运行成本更低。

无论是面对工业电机驱动的严苛环境，还是新能源发电并网的高频开关需求，这颗芯片都能游刃有余。其优化的开关特性830J的开启能量与2.37mJ的关断能量，配合仅31ns/147ns的开关延迟，确保了快速、干净的开关动作，有效减少了开关损耗和电磁干扰，让您的系统设计更简洁，性能更出众。宽广的-55°C至175°C结温工作范围，赋予了它无与伦比的环境适应能力，从酷寒到高温，始终如一地稳定输出。选择STGWA25S120DF3，就是选择了一份由尖端技术和卓越品质背书的信心。我们作为值得信赖的ST一级代理，不仅能确保您获得原装正品和稳定的供货支持，更能提供专业的技术服务，帮助您将这颗强大芯片的潜力完全释放，加速您的产品上市进程，在激烈的市场竞争中抢占先机。

• 型号:STGWA25S120DF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，25A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:830J（导通），2.37mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:80 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/147ns
• 测试条件:600V，25A，15欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):265 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGWA25S120DF3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。