STGWA40M120DF3

在追求极致能效与可靠性的工业应用领域，您是否还在为功率转换系统的效率瓶颈和散热难题而困扰？现在，让我们为您介绍一款能够彻底改变游戏规则的解决方案STGWA40M120DF3。这款来自意法半导体的1200V/80A IGBT，不仅仅是一个电子元件，更是您构建下一代高效、紧凑、可靠电力电子系统的核心引擎。它凭借其卓越的沟槽型场截止技术，将导通损耗与开关损耗降至新低，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出，赢得先机。

想象一下，在变频驱动器中，电机启动更平滑，运行更安静，能耗显著降低；在不间断电源（UPS）和太阳能逆变器中，电能转换效率大幅提升，系统运行更加稳定可靠；在电焊机和工业电源等严苛环境中，它能够轻松应对高负载和频繁开关的挑战。这正是STGWA40M120DF3能够为您带来的真实价值。其高达468W的功率处理能力和175°C的最高结温，意味着更强的过载能力和更宽的安全工作范围，让您的设计从容应对各种极端工况，大幅提升终端产品的耐用性和市场口碑。

选择STGWA40M120DF3，就是选择了一份经得起考验的卓越性能。其2.3V的低饱和压降（Vce(on)）直接转化为更低的导通损耗，而优化的开关特性（1.03mJ开通，480J关断）则确保了高频应用下的高效率。这不仅意味着您的系统整体能效更高、发热更少，还直接降低了散热系统的复杂度和成本，让产品设计更加紧凑优雅。无论是升级现有方案还是开发全新平台，这颗芯片都能为您提供坚实的性能基石。如需获取样品、技术资料或采购支持，我们的合作伙伴专业的ST代理商将为您提供全方位的服务，助您将创新构想快速转化为市场领先的产品。

• 型号:STGWA40M120DF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A
• 功率 - 最大值:468 W
• 开关能量:1.03mJ（导通），480J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:125 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/140ns
• 测试条件:600V，40A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):355 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• STGWA40M120DF3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。