STGWA50HP65FB2

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否正在寻找一颗能同时驾驭高功率与高效率的“心脏”？答案或许就藏在STGWA50HP65FB2这颗性能卓越的IGBT之中。它不仅仅是一个组件，更是您提升系统整体竞争力的关键引擎，以其650V的高压耐受能力和高达86A的持续电流，为您的设计注入澎湃而稳定的动力源泉。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源（UPS）或太阳能逆变器等严苛的应用场景中，系统需要频繁应对高电压、大电流的冲击。正是这些挑战，凸显了STGWA50HP65FB2无可替代的价值。它采用的先进沟槽型场截止技术，将导通损耗与开关损耗降至新低，Vce(on)典型值仅为2V，这意味着更少的热量产生和更高的能源转换效率。无论是驱动重型机械，还是保障关键设备的电力供应，它都能确保系统运行得更冷静、更持久，直接将性能优势转化为您的运营成本和产品可靠性的双重胜利。

选择STGWA50HP65FB2，就是选择了一份来自意法半导体尖端工艺的保障。其高达272W的功率处理能力和宽广的-55°C至175°C结温工作范围，赋予了产品无与伦比的环境适应性与鲁棒性。优化的开关特性（关断能量580J）与快速的反向恢复时间（140ns），共同确保了系统在高速开关应用中依然能保持优异的动态响应与低电磁干扰。当您通过值得信赖的ST代理渠道获取这颗芯片时，您获得的不仅是顶级品质的硬件，更是缩短研发周期、加速产品上市的有力支持。让它成为您下一个明星产品的核心，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STGWA50HP65FB2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 86A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:86 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，50A
• 功率 - 最大值:272 W
• 开关能量:580J（关）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:151 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:-/115ns
• 测试条件:400V，50A，4.7 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):140 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• STGWA50HP65FB2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。