STGWA50IH65DF

当您的工业电机驱动、光伏逆变器或UPS系统面临效率瓶颈与散热挑战时，是否渴望一颗能同时驾驭高功率与低损耗的“心脏”？答案就在STGWA50IH65DF。这不仅仅是一颗IGBT，更是意法半导体尖端沟槽型场截止技术的结晶，它以其高达650V的击穿电压和100A的持续电流能力，为您的高压高功率应用注入澎湃而稳定的动力源泉。

想象一下，在严苛的工业环境中，无论是驱动重型机械的变频器，还是保障数据中心不间断运行的电源，STGWA50IH65DF都能游刃有余。其低至2V的饱和压降（Vce(on)）意味着更少的导通损耗，而优化的开关特性（关断能量284J）则显著降低了开关过程中的能量浪费。这直接转化为更低的系统温升和更高的整体能效，让您的设备在-55°C至175°C的广阔结温范围内稳定运行，可靠性大幅提升。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的品质基石。

为何众多领先制造商在关键功率转换节点上信赖这款芯片？因为它完美平衡了性能与易用性。标准的输入特性使其易于驱动，TO-247-3的经典封装形式兼容广泛的设计与散热方案，极大简化了您的工程师的选型与布局工作。当您追求极致的功率密度和能源效率时，STGWA50IH65DF提供的不仅是参数，更是一个值得信赖的解决方案。如需获取样品、技术支援或批量采购，专业的ST代理商将是您可靠的合作伙伴，助您快速将尖端技术转化为市场竞争力。

• 型号:STGWA50IH65DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，50A
• 功率 - 最大值:300 W
• 开关能量:284J（关）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:158 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:-/260ns
• 测试条件:400V，50A，22 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• STGWA50IH65DF的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。