STGWA50M65DF2

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为功率器件的开关损耗与热管理难题而困扰？现在，一个集高性能与高可靠性于一身的解决方案已经到来STGWA50M65DF2。这款来自ST意法半导体的沟槽型场截止IGBT，以其650V的击穿电压和高达80A的连续集电极电流，为您的高功率应用注入澎湃而稳定的动力核心。其卓越的2.1V低饱和压降（Vce(on)）与优化的开关特性，意味着更低的导通与开关损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的运行温度，让您的产品在激烈的市场竞争中凭借出色的能效表现脱颖而出。

无论是工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器，还是电焊机等严苛应用，STGWA50M65DF2都能游刃有余。它宽广的-55°C至175°C结温工作范围，确保了在极端环境下的稳定运行，而TO-247-3封装则提供了优异的散热能力和机械强度，简化您的散热设计。当您需要构建一个既高效又坚固的功率转换平台时，选择它就意味着选择了经市场验证的可靠性与领先的技术性能。我们的专业ST芯片代理团队，随时准备为您提供从选型到量产的全方位技术支持。

为何众多工程师在关键设计中信赖STGWA50M65DF2？答案在于其带来的综合价值提升。它不仅通过降低损耗帮助您节省能源成本，其优化的开关能量（880J开启，1.57mJ关断）和快速的反向恢复时间（162ns）更能显著提升系统的开关频率与动态响应，让您的设计拥有更小的磁性元件和更紧凑的整体尺寸。这意味着更低的物料成本与更具吸引力的产品外观。从提升产品性能到优化整体系统成本，这颗芯片都为您提供了清晰而强大的理由，是推动您下一代高能效、高功率密度设计的明智之选。

• 型号:STGWA50M65DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，50A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:880J（导通），1.57mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:150 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/130ns
• 测试条件:400V，50A，6.8 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):162 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• STGWA50M65DF2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。