STGWA75H65DFB2

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否还在为功率器件的性能瓶颈而妥协？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案STGWA75H65DFB2。这款来自ST意法半导体的高性能IGBT，以其卓越的沟槽型场截止技术和高达650V的击穿电压，正重新定义中高功率应用的性能标准。它不仅是一颗芯片，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源(UPS)或太阳能逆变器的核心电路中，STGWA75H65DFB2正稳定高效地工作着。其115A的连续集电极电流和225A的脉冲电流能力，足以应对严苛的负载波动与瞬间峰值。更令人振奋的是，在15V栅极电压、75A电流条件下，其导通压降低至仅2V，这意味着更低的导通损耗和更出色的温升控制。无论是面对-55°C的严寒还是175°C结温的挑战，它都能保持稳定，确保您的系统在极端环境下依然坚若磐石。

选择STGWA75H65DFB2，就是选择了一份经得起验证的卓越。其极低的开关能量（开启仅1.428mJ，关断1.05mJ）与快速的开关特性（开启延迟28ns），直接转化为更高的系统开关频率和更小的磁性元件尺寸，让您的设计更紧凑、成本更优化。TO-247-3的经典封装提供了卓越的散热能力和通孔安装的可靠性。当您需要稳定可靠的货源与专业的技术支持时，我们的ST一级代理身份将为您提供从选型到量产的全程保障。让STGWA75H65DFB2成为您下一个成功产品的强大心脏，开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STGWA75H65DFB2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 115A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:115 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):225 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，75A
• 功率 - 最大值:357 W
• 开关能量:1.428mJ（导通），1.05mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:207 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/100ns
• 测试条件:400V，75A，2.2 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):88 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• STGWA75H65DFB2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。