STGWA80H65DFB

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为功率器件的损耗与散热问题而困扰？想象一下，如果有一款IGBT能够将导通压降低至惊人的2V，同时开关损耗大幅优化，您的系统效率将获得怎样的飞跃？今天，我们为您带来的正是这样一款划时代的解决方案STGWA80H65DFB，它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力的核心引擎。

这款来自ST意法半导体的650V/80A沟槽型场截止IGBT，专为应对严苛的高功率应用而设计。其高达469W的功率处理能力和175°C的最高结温，意味着它能在工业电机驱动、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器乃至电动汽车充电桩等场景中游刃有余。当您的设备需要处理频繁的开关动作时，其仅2.1mJ的开通能量和1.5mJ的关断能量，配合85ns的快速反向恢复时间，能显著降低开关损耗，让系统运行更凉爽、更安静，整体能效提升立竿见影。

选择STGWA80H65DFB，就是选择了一份可靠与高效的保障。其TO-247-3的经典封装提供了卓越的散热性能和机械强度，便于安装与维护。高达240A的脉冲电流承受能力，确保了系统在面对突波负载时的稳定与安全。无论您是设计新一代的工业变频器，还是打造高密度的储能系统，这颗芯片都能以其优异的Vce(sat)与开关特性，帮助您缩小系统体积、降低散热成本，最终打造出性能出众且极具市场吸引力的产品。如需获取样品或技术支持，我们的ST代理商网络随时准备为您提供专业服务。

• 型号:STGWA80H65DFB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A
• 功率 - 最大值:469 W
• 开关能量:2.1mJ（导通），1.5mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:414 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns
• 测试条件:400V，80A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):85 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• STGWA80H65DFB的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。