STGWA80H65FB

在追求极致能效与可靠性的工业应用领域，您是否还在为功率器件的性能瓶颈而困扰？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案STGWA80H65FB。这颗来自ST意法半导体的高性能IGBT，以其650V的击穿电压和高达120A的连续集电极电流，为您打开了通往更高功率密度和更强系统稳定性的大门。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力的核心引擎。

想象一下，在变频驱动、不间断电源或太阳能逆变器的核心电路中，每一次开关都意味着能量的转换与损耗。STGWA80H65FB凭借其先进的沟槽型场截止技术，将集射极饱和压降低至仅2V（在15V栅极电压、80A电流条件下），这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生。其高达469W的功率处理能力和175°C的最高结温，确保即使在严苛的工业环境或持续高负载运行下，也能保持冷静与稳定，让您的设备寿命显著延长，维护成本大幅降低。

选择STGWA80H65FB，就是选择了一份放心的保障与卓越的性能。其优化的开关特性（开启延迟84ns，关闭延迟280ns）和较低的开关能量（开启2.1mJ，关闭1.5mJ），直接转化为更高的系统开关频率和更快的动态响应，让您的电源设计更紧凑，效率曲线更平滑。经典的TO-247-3封装提供了卓越的散热能力和便捷的安装方式。当您需要可靠的原厂货源与专业的技术支持时，我们的ST代理团队随时待命，为您从选型到量产提供一站式服务。立即采用STGWA80H65FB，让它成为您下一个成功产品的强大心脏。

• 型号:STGWA80H65FB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A
• 功率 - 最大值:469 W
• 开关能量:2.1mJ（导通），1.5mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:414 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns
• 测试条件:400V，80A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• STGWA80H65FB的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。