STGWT20HP65FB

当您的工业电机驱动系统需要在高功率与高效率之间找到完美平衡点时，您是否曾为开关损耗和热管理问题而困扰？今天，我们为您带来一个革命性的解决方案STGWT20HP65FB，这颗来自ST意法半导体的高性能IGBT，将用其卓越的电气特性重新定义功率转换的边界。

想象一下，在650V的高压环境下，它依然能保持仅2V的低饱和压降，这意味着在20A的电流下，导通损耗被压缩到了极致。高达168W的功率处理能力，配合-55°C至175°C的宽广工作结温范围，让您的设备即使在最严苛的工业环境中也能稳定运行，无需担心过热降额。其沟槽型场截止技术带来了更快的开关速度，关断时间仅为139ns，开关能量低至170J，这直接转化为更低的系统总损耗和更高的整体能效。当您选择与可靠的ST一级代理合作时，获得的不仅是这颗顶尖的芯片，更是从选型到量产的全方位技术支持与供应保障。

无论是伺服驱动器、变频器、UPS不间断电源，还是新能源领域的太阳能逆变器和充电桩，STGWT20HP65FB都是驱动核心的理想心脏。它让电机的启停更平滑、响应更迅捷，让逆变器的电能转换更纯净、效率更出众。TO-3P-3的坚固封装确保了出色的机械强度和散热性能，让您的产品设计在追求功率密度的同时，无后顾之忧。

选择STGWT20HP65FB，就是选择了一份对可靠性和性能的坚定承诺。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本、并赢得市场先机的战略伙伴。让这颗凝聚了尖端技术的IGBT，为您的下一个功率电子设计注入强劲动力与无限可能。

• 型号:STGWT20HP65FB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3P
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-3P
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A
• 功率 - 最大值:168 W
• 开关能量:170J（关）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:120 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:-/139ns
• 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):140 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
• 供应商器件封装:TO-3P
• STGWT20HP65FB的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。