STGWT20IH125DF

当您的工业电机驱动或光伏逆变器项目需要同时兼顾高电压耐受与高效能运行时，您是否曾为功率器件的选择而犹豫？现在，答案变得前所未有的清晰。我们隆重向您推荐意法半导体的新一代功率解决方案STGWT20IH125DF。这颗1250V/40A的沟槽型场截止IGBT，正是为应对严苛的工业环境而生，其高达259W的功率处理能力和卓越的开关特性，将直接转化为您终端产品的性能优势与市场竞争力。

想象一下，在变频器、UPS不间断电源或电焊机的心脏部位，STGWT20IH125DF正稳定可靠地工作着。它凭借1250V的高击穿电压，从容应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰，为系统安全筑起坚固防线。同时，其低至2.5V的饱和压降（Vce(on)）意味着在导通时能量损耗被大幅降低，这不仅提升了整体能效，更直接减少了散热需求，让您的系统设计更紧凑、运行更凉爽。从-55°C到175°C的宽广结温工作范围，确保了它在极端温度环境下依然表现如一，无论是酷热的车间还是严寒的户外，都能提供持久动力。

选择STGWT20IH125DF，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它采用的先进沟槽型场截止技术，在开关速度与导通损耗之间取得了完美平衡，410J的关断能量与快速的开关时间共同助力系统实现更高频率运行，从而提升功率密度。经典的TO-3P封装提供了优异的散热能力和机械强度，非常适合高功率应用。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，请务必认准官方授权的ST代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务保障。让STGWT20IH125DF成为您下一代高性能电源与驱动设计的核心引擎，开启能效与可靠性的新篇章。

• 型号:STGWT20IH125DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3P
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1250V 40A TO-3P
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1250 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A
• 功率 - 最大值:259 W
• 开关能量:410J（关）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:68 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:-/106ns
• 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
• 供应商器件封装:TO-3P
• STGWT20IH125DF的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。