STGWT30H60DFB

在追求极致能效的工业自动化领域，您是否还在为功率器件的损耗与发热问题而烦恼？想象一下，一台持续运行的变频驱动系统，其核心功率开关的效率每提升1%，带来的能源节约与可靠性提升将是多么可观。现在，答案就在STGWT30H60DFB这颗强大的600V/60A IGBT之中。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力的能量引擎，专为应对严苛的工业环境而生，让高效与稳定触手可及。

无论是伺服驱动器精准控制电机转速，还是UPS不间断电源保障关键设备电力，亦或是电焊机需要瞬间迸发巨大能量，STGWT30H60DFB都能游刃有余。其采用的先进沟槽型场截止技术，将导通压降（Vce(on)）控制在极低的2V（@30A），这意味着在相同电流下，芯片自身的功耗更小，产生的热量也更少。更低的损耗直接转化为更高的系统效率、更小的散热器尺寸以及更长的设备寿命，让您的终端产品在市场中脱颖而出，赢得客户的信赖。

选择STGWT30H60DFB，就是选择了一份从容与保障。它拥有高达260W的功率处理能力和175°C的最高结温，确保在高温环境下依然稳定工作，无惧挑战。快速的开关特性（开/关延迟时间优异）与低开关能量，显著降低了开关损耗，特别适合高频应用，让您的设计在性能与能效之间找到完美平衡。此外，其坚固的TO-3P封装提供了卓越的功率循环能力和散热性能，是可靠性的坚实基石。如果您正在寻找值得信赖的供应与技术伙伴，我们的ST中国代理团队随时准备为您提供从选型到量产的全方位支持，助力您的创意快速落地，抢占市场先机。

• 型号:STGWT30H60DFB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3P
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A
• 功率 - 最大值:260 W
• 开关能量:383J（导通），293J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:149 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns
• 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):53 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
• 供应商器件封装:TO-3P
• STGWT30H60DFB的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。