STGWT38IH130D

在追求极致能效与可靠性的工业电力转换领域，您是否还在为高电压、大电流应用的稳定性和效率而反复权衡？现在，一颗集强大性能与卓越可靠性于一身的解决方案已经到来STGWT38IH130D，它将重新定义您对1300V级别IGBT的期待。

想象一下，在严苛的工业环境中，无论是大功率变频器、不间断电源(UPS)还是电焊机，系统都需要承受瞬间的高压冲击和持续的功率负载。STGWT38IH130D正是为此而生。它源自意法半导体备受赞誉的PowerMESH技术平台，拥有高达1300V的集射极击穿电压和63A的连续集电极电流，峰值电流能力更可达125A。这意味着它不仅能轻松应对电网波动，更能为您的设备提供充沛且稳定的功率输出核心，确保系统在满负荷运行时依然游刃有余，将宕机风险降至最低。

将目光转向实际应用，这颗芯片的价值在太阳能逆变器、工业电机驱动等场景中体现得淋漓尽致。其仅2.8V的低饱和压降（在15V Vge，20A Ic条件下）和优化的开关特性，直接转化为更低的导通损耗和开关损耗。对于终端产品而言，这不仅仅是几个百分点的效率提升，更是实实在在的能耗节约、更小的散热器尺寸以及更长的设备使用寿命。当您的竞争对手还在为散热设计和系统效率头疼时，选择STGWT38IH130D，意味着您已经为产品赢得了关键的能效优势和更低的综合成本。

为何众多领先的制造商在关键项目中信赖这款芯片？答案在于其背后坚实的品质保障与技术支持。作为ST意法半导体的经典力作，其性能经过了全球大量工业应用的严苛验证。当您通过正规的ST授权代理渠道获取STGWT38IH130D时，您获得的不仅是一颗高性能IGBT，更是从源头保证的原装正品、可靠供货以及专业的技术支持服务。这为您产品的长期稳定生产和市场声誉奠定了坚实基础。选择它，就是选择了一个经过时间考验、值得托付的功率解决方案伙伴，让您的产品在激烈的市场竞争中，以卓越的可靠性和效率脱颖而出。

• 型号:STGWT38IH130D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3P
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 1300V 63A TO-3P
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1300 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:63 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A
• 功率 - 最大值:250 W
• 开关能量:3.4mJ（关）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:127 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:-/284ns
• 测试条件:960V，20A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
• 供应商器件封装:TO-3P
• STGWT38IH130D的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。