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STGWT80H65FB

  • 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT,封装:TO-3P
  • 技术参数:IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3P
  • (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

STGWT80H65FB参数详情:

当您的工业电机驱动或光伏逆变器项目面临效率瓶颈时,是否曾渴望一颗能在高压、大电流下稳定运行,同时将损耗降至最低的“心脏”?答案就在STGWT80H65FB。这颗来自ST意法半导体的650V/120A IGBT,正是为挑战极限性能而生,它将卓越的功率处理能力与行业领先的能效表现融为一体,为您的高要求应用注入澎湃而精准的动力。

想象一下,在伺服驱动系统中,它凭借高达469W的功率容量和低至2V的饱和压降,确保电机响应迅捷、运行平稳,显著降低系统发热。在太阳能逆变器的核心电路中,其优化的开关特性(开启/关断能量仅2.1mJ/1.5mJ)意味着更低的开关损耗,直接转化为更高的整机转换效率和更可观的发电收益。无论是不断电电源(UPS)、焊接设备还是工业电源,它宽广的-55°C至175°C结温范围,都保证了在严苛环境下依然可靠耐用,让您的产品品质坚如磐石。

选择STGWT80H65FB,就是选择了一份由尖端技术背书的信心。其沟槽型场截止技术带来了更小的芯片尺寸和更优的导通特性,而标准输入类型则简化了驱动设计。高达240A的脉冲电流能力,为应对瞬间负载冲击提供了充足裕量。这颗芯片不仅是一个组件,更是您提升产品竞争力、赢得市场的关键伙伴。如需获取正品保障与专业的技术支持,我们的ST授权代理团队随时待命,为您从选型到量产保驾护航。让STGWT80H65FB成为您下一个成功项目的强大引擎,开启高效、可靠的电能转换新篇章。

  • 型号:STGWT80H65FB
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-3P
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3P
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):120 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2V @ 15V,80A
  • 功率 - 最大值:469 W
  • 开关能量:2.1mJ(导通),1.5mJ(关断)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:414 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/280ns
  • 测试条件:400V,80A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商器件封装:TO-3P
  • STGWT80H65FB的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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