




STGY80H65DFB
- 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT,封装:MAX247
- 技术参数:IGBT TRENCH FS 650V 120A MAX247
- (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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STGY80H65DFB参数详情:
当您的工业电机驱动或光伏逆变器项目需要兼顾高效能与可靠性时,您是否曾为功率器件的选择而反复权衡?现在,答案变得前所未有的清晰。我们隆重向您推荐意法半导体的新一代功率解决方案STGY80H65DFB。这颗集卓越性能与坚固耐用于一身的IGBT,正是为应对严苛应用挑战而生,它将彻底改变您对功率转换效率的认知。
想象一下,在伺服驱动系统中,电机需要快速、精准地响应指令。STGY80H65DFB凭借其高达120A的连续集电极电流和650V的击穿电压,提供了充沛的动力基石。更关键的是,其极低的饱和压降(Vce(on)仅2V @ 80A)意味着在导通状态下的损耗被大幅削减,更多的电能被转化为有用的机械能,而不是以热量的形式白白浪费。这不仅提升了整体系统效率,更直接降低了散热设计的复杂度和成本。无论是繁忙生产线上的工业机器人,还是昼夜不息的大型空调压缩机,这颗芯片都能确保动力核心强劲而冷静地运行。
它的价值远不止于静态参数。在高速开关的逆变器世界中,每一次开启和关闭都伴随着能量损耗。STGY80H65DFB优化了开关特性,极低的开关能量(开启2.1mJ,关断1.5mJ)和快速的反向恢复时间(85ns),使得它在高频PWM操作下依然能保持极高的效率与温升可控。这意味着,在太阳能逆变器中,它可以最大化地从光伏板捕获每一份阳光能量;在不间断电源(UPS)中,它能实现更快速的切换和更稳定的输出,为关键负载提供无缝的保护。其TO-247-3 (MAX247)封装提供了优异的散热路径和通孔安装的便利性,让您的PCB布局和热管理设计更加游刃有余。
选择STGY80H65DFB,就是选择了一份经过市场验证的安心与领先的技术红利。它融合了沟道和场截止技术,在导通损耗和开关速度之间取得了完美平衡。高达469W的功率处理能力和240A的脉冲电流能力,为系统应对瞬时过载提供了充足的裕量,显著增强了产品的鲁棒性和寿命。当您致力于打造下一代更具竞争力的高性能电源或驱动产品时,这颗芯片就是您值得信赖的伙伴。如需获取详细技术资料、样品或采购支持,欢迎联系我们的官方ST代理,他们将为您提供专业、及时的服务,助您的创意快速转化为领先市场的产品。
- 型号:STGY80H65DFB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:MAX247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 120A MAX247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):120 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2V @ 15V,80A
- 功率 - 最大值:469 W
- 开关能量:2.1mJ(导通),1.5mJ(关断)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:414 nC
- 25°C 时 Td(开/关)值:84ns/280ns
- 测试条件:400V,80A,10 欧姆,15V
- 反向恢复时间 (trr):85 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:MAX247
- STGY80H65DFB的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















