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STGYA120M65DF2AG供应商
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STGYA120M65DF2AG
- 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT,封装:MAX247
- 技术参数:IGBT TRENCH FS 650V 160A MAX247
- (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
STGYA120M65DF2AG参数详情:
在追求极致能效的工业世界里,您是否还在为功率转换系统的损耗与发热问题而烦恼?想象一下,一个核心功率器件,能将650V的高压与160A的强大电流驾驭得游刃有余,同时将导通损耗降至新低这正是STGYA120M65DF2AG为您带来的变革性体验。它不仅仅是一个IGBT,更是意法半导体尖端沟槽型场截止技术的结晶,旨在重新定义中高功率应用的性能边界。
当我们将目光投向繁忙的工厂车间、飞速运转的伺服驱动,或是要求严苛的UPS不间断电源和光伏逆变器,稳定与高效是永恒的主题。STGYA120M65DF2AG正是为这些场景而生。其高达625W的功率处理能力和卓越的开关特性(开启能量仅1.8mJ),意味着在频繁启停的电机驱动中,它能显著降低开关损耗,提升整体系统效率;在新能源领域,它能帮助逆变器更高效地将清洁能源馈入电网。其宽广的-55°C至175°C结温工作范围,更是确保了设备在极端环境下依然稳定可靠,让您的产品无惧挑战。
选择STGYA120M65DF2AG,就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它集低Vce(sat)(仅2.15V)、快速开关与高鲁棒性于一身,直接转化为更低的运营成本、更小的散热器需求和更紧凑的系统设计。这颗采用经典TO-247-3封装的器件,不仅性能出众,其供应链也清晰可靠。通过正规的ST授权代理渠道获取,您不仅能确保产品百分百原装正品,还能获得专业的技术支持与供货保障,让您的创新之旅从一颗值得信赖的“心脏”开始,动力澎湃,行稳致远。
- 型号:STGYA120M65DF2AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:MAX247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 160A MAX247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,120A
- 功率 - 最大值:625 W
- 开关能量:1.8mJ(导通),4.41mJ(关断)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:420 nC
- 25°C 时 Td(开/关)值:66ns/185ns
- 测试条件:400V,120A,4.7 欧姆,15V
- 反向恢复时间 (trr):202 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:MAX247
- STGYA120M65DF2AG的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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