STH10N80K5-2AG

当您的下一代电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否有一款功率器件能同时满足高性能与车规级严苛要求？答案是肯定的。今天，我们向您隆重介绍来自ST意法半导体的卓越解决方案STH10N80K5-2AG。这颗N沟道功率MOSFET不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统能效、确保长期稳定运行的强大引擎。它集800V高耐压、8A连续电流与极低的导通电阻于一身，专为应对高功率密度和恶劣环境而生，让您的产品从激烈的市场竞争中脱颖而出。

想象一下，在电动汽车的车载充电机(OBC)中，能量需要被高效、安全地转换与管理；在工业伺服驱动和通信电源中，系统必须7x24小时不间断可靠运行。这正是STH10N80K5-2AG大显身手的舞台。其高达800V的漏源电压(Vdss)为您提供了充足的电压裕度，轻松应对电网波动和感性负载关断时产生的电压尖峰。而680毫欧的超低导通电阻（在4A, 10V条件下），意味着在导通状态下的功率损耗被大幅削减，电能更多地被用于驱动负载而非转化为无谓的热量，直接提升了整机效率并简化了散热设计。其采用的H2PAK-2表面贴装封装，不仅优化了功率密度，更便于自动化生产，助力您快速实现产品量产。

选择STH10N80K5-2AG，就是选择了一份经得起考验的承诺。它隶属于ST的Automotive, AEC-Q101产品家族，这意味着它已经通过了汽车电子委员会制定的严苛可靠性标准测试，能够承受-55°C至150°C的极端结温变化，确保在振动、高温、高湿等恶劣环境下依然性能如初。无论是追求零缺陷的汽车应用，还是要求长寿命的工业设备，它都是您值得信赖的伙伴。其优化的栅极电荷(Qg)仅17.3nC，有助于降低开关损耗，实现更高频率的开关操作，为设计更小巧、更高效的电源拓扑铺平道路。当您需要可靠的技术支持和供应链保障时，我们的合作伙伴专业的ST中国代理将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STH10N80K5-2AG成为您下一个成功产品的核心动力，开启高效、可靠的电能转换新纪元。

• 型号:STH10N80K5-2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2Pak-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 8A H2PAK-2
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:680 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:426 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:121W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2Pak-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH10N80K5-2AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。