STH110N10F7-2

想象一下，您的下一代电源系统或电机驱动方案，能否在保持紧凑设计的同时，承载高达110A的连续电流？这正是STH110N10F7-2为您带来的核心价值。作为意法半导体STripFET VII与DeepGATE技术家族的杰出成员，这颗功率MOSFET不仅仅是一个开关，更是您实现高效能量转换、提升系统可靠性的关键引擎。它凭借极低的导通电阻和卓越的热性能，将功率损耗降至新低，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

无论是工业自动化中的伺服驱动器、不断电系统(UPS)的逆变模块，还是新能源车上的车载充电机(OBC)和DC-DC转换器，STH110N10F7-2都能游刃有余。其100V的漏源电压和高达175°C的结温工作范围，确保了在严苛环境下的稳定运行。表面贴装的H2PAK-2封装不仅优化了散热路径，更为PCB布局节省了宝贵空间，让高功率密度设计成为可能。当您需要构建一个高效、紧凑且可靠的功率级时，这颗芯片就是您值得信赖的基石。

选择STH110N10F7-2，意味着您选择了经过市场验证的STripFET VII技术，它带来了更低的栅极电荷和输入电容，显著降低了开关损耗，让系统整体效率再上一个台阶。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的应用验证，使其成为特定高可靠性项目或库存备货的优选方案。对于正在寻找成熟、高性能功率解决方案的工程师，通过与专业的ST中国代理合作，您依然可以获取关于这颗芯片的技术支持与供应链服务，确保您的项目平稳推进，无后顾之忧。

• 型号:STH110N10F7-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 100V 110A H2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 55A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5117 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH110N10F7-2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。