STH110N10F7-6

在追求极致效率的电力电子世界，您是否还在为功率转换系统的损耗和温升问题而困扰？想象一下，一个能够承载110A大电流却仅有6.5毫欧超低导通电阻的开关器件，将如何彻底改变您的设计格局。今天，我们向您隆重介绍意法半导体的高性能解决方案STH110N10F7-6，这颗基于先进STripFET VII与DeepGATE技术的N沟道MOSFET，正是为突破效率瓶颈而生。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键引擎。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是新能源领域的车载充电机(OBC)和光伏逆变器，STH110N10F7-6都能大显身手。其100V的漏源电压和高达110A的连续电流能力，为高功率密度设计提供了坚实的保障。在频繁开关的DC-DC转换器中，其极低的栅极电荷(Qg)与输入电容(Ciss)意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让系统整体效率轻松攀升。面对严苛的工业环境，其宽广的-55°C至175°C结温工作范围，确保了卓越的可靠性与稳定性，让您的设备无惧挑战。

选择STH110N10F7-6，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与安心保障。它代表了意法半导体在功率MOSFET领域的深厚积淀，其H2PAK-6封装不仅优化了散热性能，也为表面贴装生产带来了便利。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST代理渠道，您依然可以获得稳定的库存支持与专业的技术服务，为现有产品线的维护与升级保驾护航。让这颗凝聚尖端技术的芯片，成为您打造更高效、更可靠、更具市场吸引力产品的秘密武器，立即行动，解锁电力转换的无限潜能。

• 型号:STH110N10F7-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 55A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5117 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• STH110N10F7-6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。