STH140N6F7-6

在追求极致效率的电力转换世界，您是否还在为功率损耗和散热问题而妥协？想象一下，一款能够将导通电阻降至毫欧级别，同时承载高达80A电流的功率开关，将如何彻底改变您的电源设计格局？今天，我们向您隆重介绍意法半导体的力作STH140N6F7-6，它正是为打破瓶颈、释放性能而生的卓越解决方案。

这款采用先进STripFET技术的N沟道MOSFET，绝非普通功率器件可比。其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动电压、40A电流下，Rds(On)最大值仅为3.2毫欧。这意味着什么？意味着更少的能量以热量的形式白白浪费，更高的系统整体效率，以及更简洁、更可靠的散热设计。当您的设备在满负荷运行时，每一分电能都被更有效地利用，直接转化为可观的成本节约和性能提升。其高达158W的功率耗散能力和175°C的结温，赋予了它无与伦比的坚固性和环境适应性，即使在严苛的工作条件下也能稳定输出，让您的产品底气十足。

那么，STH140N6F7-6将在哪些舞台大放异彩？它正是为高电流、高频率的开关应用量身定制。无论是服务器和数据中心里要求极高能效的开关电源（SMPS），还是工业自动化设备中驱动电机、执行器的电机驱动电路，亦或是不断进化的电动汽车车载充电器（OBC）和DC-DC转换器，它都能游刃有余。其H2PAK-6封装不仅提供了优异的散热性能，其表面贴装形式也完全契合现代自动化生产的需求，助力您快速实现产品量产。选择它，就是为您的下一个旗舰级电源或驱动项目，注入一颗强劲而高效的“心脏”。

面对市场上琳琅满目的功率器件，为何STH140N6F7-6值得您优先考虑？答案在于它实现了性能、可靠性与设计便利性的完美平衡。极低的栅极电荷（Qg最大值55nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统可以工作在更高频率，从而使用更小的磁性元件，进一步缩小整体体积和成本。其±20V的宽泛栅源电压范围提供了更大的设计余量和抗干扰能力。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的市场验证，使其成为特定高端或存量项目升级的绝佳选择。要获取这颗经典芯片的库存或寻找功能升级的替代方案，请联系我们专业的ST芯片代理团队，我们将为您提供全面的技术支持与供应链服务，确保您的项目顺利推进。

• 型号:STH140N6F7-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.2 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:158W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• STH140N6F7-6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。